研究成功一种制取Nb_3Sn带的新的扩散方法。把Nb基带复上含Sn30～50w/0的Cu-Sn

在650-750℃的较低温度扩散处理。可以得到致密而均匀的Nb_3Sn层。用这种带绕制的10万高斯磁体总平均电流密度约2×10~4安/厘米~2。带中Cu-Nb_3Sn界面清洁平滑。带的复绕性好

弯曲直径可以小到1.6厘米。这种扩散工艺易于控制并适于大规模生产。