본 논문은 CFD 수치 시뮬레이션 방법을 통해 역류 마이크로채널 방열기의 고온 구역 형성 메커니즘을 연구하고 "출구 상단 리브 구조" 및 "채널 중간 상단 리브 구조"를 제안하였다. 결과는 가장자리 채널 입구 효과와 인접 채널의 횡방향 열전달이 '평행사변형' 고온 구역의 근본 원인임을 보여준다. "균일한 하단 리브 구조"는 전체적으로 열교환을 강화할 수 있으나 여전히 '평행사변형' 고온 구역이 존재한다. "출구 상단 리브 구조"는 가장자리 채널을 대상으로 입구 영역에서 열교환을 약화시키고 출구 영역에서 열교환을 강화하여 '평행사변형' 고온 구역 형태를 변경하며 벽면 최대 온도차를 33.3% 감소시킨다. "중간 상단 리브 구조"는 채널 중부 고온 구역의 열교환을 강화하여 벽면 최대 온도차를 58.3% 추가로 감소시키며, 낮은 유량(1.64 g/s)에서 "균일 하단 리브 구조" 및 "출구 상단 리브 구조"의 높은 유량(2 g/s) 시와 같은 벽면 평균 온도를 구현하고 벽면 온도차는 각각 64.8%와 47.2%, 압력 강하는 9.1%와 12.0% 감소시킨다.

마이크로채널 방열기;칩;리브;온도차;역류