| 摘要: |
| 研究成功一种制取Nb_3Sn带的新的扩散方法。把Nb基带复上含Sn30～50w/0的Cu-Sn,在650-750℃的较低温度扩散处理。可以得到致密而均匀的Nb_3Sn层。用这种带绕制的10万高斯磁体总平均电流密度约2×10~4安/厘米~2。带中Cu-Nb_3Sn界面清洁平滑。带的复绕性好,弯曲直径可以小到1.6厘米。这种扩散工艺易于控制并适于大规模生产。 |
| 关键词: |
| DOI：10.3969/j.issn.0253-4339.年份（4位数字）.月份（2位数字）.文章的起始页码（3位数字） |
|
|
| 基金项目: |
|
|
|
| () |
| Abstract: |
|
| Key words: |
